MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIS112LDN-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 8.8 A, Mejora, PowerPAK 1212-8 de 8 pines
- Código RS:
- 268-8340
- Nº ref. fabric.:
- SIS112LDN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 25 unidades)*
14,30 €
(exc. IVA)
17,30 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 6000 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 0,572 € | 14,30 € |
| 50 - 75 | 0,561 € | 14,03 € |
| 100 - 225 | 0,427 € | 10,68 € |
| 250 - 975 | 0,418 € | 10,45 € |
| 1000 + | 0,259 € | 6,48 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 268-8340
- Nº ref. fabric.:
- SIS112LDN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 8.8A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | SIS | |
| Encapsulado | PowerPAK 1212-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.119Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 11.8nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 19.8W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 3.3mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 8.8A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie SIS | ||
Encapsulado PowerPAK 1212-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.119Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 11.8nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 19.8W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 3.3mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El MOSFET de potencia de generación 4 de canal N TrenchFET de Vishay es un MOSFET de configuración única. No contiene plomo ni halógenos y se utiliza como interruptor lateral primario, interruptor de accionamiento de motor y convertidor de impulso.
Ajustado para la cifra más baja de mérito
Conforme con ROHS
Probado por UIS al 100 por ciento
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, PowerPAK 1212-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, PowerPAK 1212-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, PowerPAK 1212-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, PowerPAK 1212-8 de 8 pines
- MOSFET Vishay VDSS 60 V PowerPAK 1212-8, Mejora de 8 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines