MOSFET de potencia STMicroelectronics, Tipo N-Canal STS4DNF60L, VDSS 60 V, ID 4 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config.

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
485-8358
Número de artículo Distrelec:
304-42-969
Nº ref. fabric.:
STS4DNF60L
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

STripFET

Encapsulado

SOIC

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

55mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

15 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

150°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

15nC

Configuración de transistor

Aislado

Temperatura de funcionamiento máxima

-55°C

Anchura

4 mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

5mm

Altura

1.25mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

Dual MOSFET doble STripFET™ de canal N, STMicroelectronics


Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.

Transistores MOSFET, STMicroelectronics


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