MOSFET de potencia STMicroelectronics, Tipo N-Canal, VDSS 60 V, ID 4 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

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Código RS:
920-6557
Nº ref. fabric.:
STS4DNF60L
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SOIC

Serie

STripFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

55mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

15 V

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

15nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

150°C

Temperatura de funcionamiento máxima

-55°C

Configuración de transistor

Aislado

Longitud

5mm

Anchura

4 mm

Altura

1.25mm

Certificaciones y estándares

No

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

Dual MOSFET doble STripFET™ de canal N, STMicroelectronics


Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.

Transistores MOSFET, STMicroelectronics


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