Transistor MOSFET Fairchild Semiconductor FQD10N20CTM, VDSS 200 V, ID 7.8 A, DPAK de 3 pines

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Código RS:
671-0936
Nº ref. fabric.:
FQD10N20CTM
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
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Marca

Fairchild Semiconductor

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

7.8 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

200 V

Serie

QFET

Tipo de Encapsulado

DPAK

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

360 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

50000 mW

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Longitud

6.6mm

Número de Elementos por Chip

1

Ancho

6.1mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

20 nC a 10 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Altura

2.3mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

COO (País de Origen):
CN

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