MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHF640L-GE3, VDSS 200 V, ID 18 A, Mejora, TO-262 de 3 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
815-2635
Nº ref. fabric.:
SIHF640L-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

18A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

200V

Encapsulado

TO-262

Serie

SiHF640L

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

180mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

70nC

Disipación de potencia máxima Pd

130W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

11.3mm

Longitud

10.67mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de canal N, de 200 V a 250 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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