MOSFET, Canal N-Canal Vishay SI2324BDS-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 1.9 A, Mejora, SOT-23 (TO-236AB) de 3 pines

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Código RS:
736-344
Nº ref. fabric.:
SI2324BDS-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Tipo de canal

Canal N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

1.9A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

SOT-23 (TO-236AB)

Serie

SI2324BDS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.21Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Disipación de potencia máxima Pd

1.7W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

1.86nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
IL
El MOSFET de canal N de Vishay está diseñado para optimizar las aplicaciones de gestión de potencia, con una robusta tensión nominal de drenaje a fuente de 100 V y características térmicas mejoradas para un funcionamiento eficiente.

El alto rendimiento de resistencia térmica mejora la fiabilidad

Diseñado para aplicaciones de retroiluminación LED y convertidor dc/dc

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