MOSFET DiodesZetex DMNH6011LK3-13, VDSS 55 V, ID 80 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 182-7152
- Nº ref. fabric.:
- DMNH6011LK3-13
- Fabricante:
- DiodesZetex
No disponible
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- Código RS:
- 182-7152
- Nº ref. fabric.:
- DMNH6011LK3-13
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de Canal | N | |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 80 A | |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 55 V | |
| Tipo de Encapsulado | DPAK (TO-252) | |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 18 mΩ | |
| Modo de Canal | Mejora | |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 2V | |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 1V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 3.2 W | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | ±12 V | |
| Longitud | 6.7mm | |
| Ancho | 6.2mm | |
| Número de Elementos por Chip | 1 | |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 49.1 nC @ 10V | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Tensión de diodo directa | 1.2V | |
| Altura | 2.26mm | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de Canal N | ||
Corriente Máxima Continua de Drenaje 80 A | ||
Tensión Máxima Drenador-Fuente 55 V | ||
Tipo de Encapsulado DPAK (TO-252) | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 18 mΩ | ||
Modo de Canal Mejora | ||
Tensión de umbral de puerta máxima 2V | ||
Tensión de umbral de puerta mínima 1V | ||
Disipación de Potencia Máxima 3.2 W | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Tensión Máxima Puerta-Fuente ±12 V | ||
Longitud 6.7mm | ||
Ancho 6.2mm | ||
Número de Elementos por Chip 1 | ||
Carga Típica de Puerta @ Vgs 49.1 nC @ 10V | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +175 °C | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Tensión de diodo directa 1.2V | ||
Altura 2.26mm | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
- COO (País de Origen):
- CN
This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.
Rated to 175°C – Ideal for High Ambient Temperature Environments
100% Unclamped Inductive Switching – Ensures more Reliable and Robust End Application
Low On-Resistance
Low Input Capacitance
Lead-free finish
Halogen and Antimony Free. Green Device
Applications
Power Supplies
Motor Control
DC-DC Converters
100% Unclamped Inductive Switching – Ensures more Reliable and Robust End Application
Low On-Resistance
Low Input Capacitance
Lead-free finish
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