MOSFET Infineon IRF6785MTRPBF, VDSS 200 V, ID 19 A, DirectFET ISOMETRIC de 7 pines

El Infineon HEXFET Power MOSFET tiene una tensión de fuente de drenaje máxima 200V en un encapsulado DirectFET MZ con un valor nominal de 19 amperios optimizado con baja resistencia de conexión. Este MOSFET de audio digital está diseñado específicamente para aplicaciones de amplificador de audio de clase D. Este MOSFET utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una baja resistencia de conexión por área de silicio. Además, la carga de puerta, la recuperación inversa de diodo de cuerpo y la resistencia de puerta interna están optimizadas para mejorar factores clave de rendimiento de amplificador de audio de clase D como la eficiencia, THD y EMI. El dispositivo IRF6785MPbF utiliza la tecnología de encapsulado DirectFETTM. La tecnología de encapsulado DirectFETTM ofrece menor inductancia parásita y resistencia en comparación con el encapsulado SOIC de conexión de cable convencional.

Última tecnología MOSFET Silicon
Parámetros clave optimizados para aplicaciones de amplificador de audio de clase D.
Compatible con refrigeración de doble cara
Sin plomo (calificación de reflujo de hasta 260 °C)