MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay SIHR080N60E-T1-GE3, VDSS 600 V, ID 51 A, Mejora, 8x8LR de 8 pines
- Código RS:
- 279-9928
- Nº ref. fabric.:
- SIHR080N60E-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*
9.972,00 €
(exc. IVA)
12.066,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
- Envío desde el 21 de enero de 2027
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 3,324 € | 9.972,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 279-9928
- Nº ref. fabric.:
- SIHR080N60E-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 51A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | 8x8LR | |
| Serie | E | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.084Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 63nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 500W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 8mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 51A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado 8x8LR | ||
Serie E | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.084Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 63nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 500W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 8mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia serie E de Vishay, tensión de fuente de drenaje de 600 V, corriente de drenaje continua máxima de 51 A - SIHR080N60E-T1-GE3
Características y ventajas:
• Manejo de corriente continua de 51 A para cargas pesadas
• Rds(on) bajo de 0,084 Ω para reducir las pérdidas por conducción
• Disipación de potencia de 500 W para espacio térmico
• Carga de puerta típica de 63 nC para un comportamiento de conmutación predecible
• Puerta de 30 V máxima para adaptarse a tensiones de accionamiento comunes
Aplicaciones
• Ideal para fuentes de alimentación y convertidores de alta tensión
• Se utiliza para la conversión dc-dc en equipos de automatización
• Se puede utilizar para etapas de conmutación en sistemas de gestión de potencia
• Se utiliza con conjuntos de alta temperatura en entornos hostiles
¿Qué intervalo de temperatura puede tolerar el dispositivo durante el funcionamiento?
¿Cómo está encapsulado el dispositivo para el montaje en PCB?
¿Qué consideraciones de accionamiento de puerta deben observarse?
¿Cómo afecta el comportamiento de conmutación a la gestión térmica?
Enlaces relacionados
- MOSFET de potencia VDSS 600 V Mejora, 8x8LR de 8 pines
- MOSFET de potencia VDSS 600 V Mejora, PowerPAK de 4 pines
- MOSFET de potencia VDSS 600 V Mejora, PowerPAK de 4 pines
- MOSFET de potencia VDSS 30 V Mejora, US de 6 pines
- MOSFET de potencia VDSS 600 V Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET de potencia VDSS 40 V Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET de potencia VDSS 650 V Mejora, PowerPAK de 4 pines
- MOSFET de potencia VDSS 600 V Mejora, PowerPAK de 8 pines
