MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay SIHR080N60E-T1-GE3, VDSS 600 V, ID 51 A, Mejora, 8x8LR de 8 pines
- Código RS:
- 279-9929
- Nº ref. fabric.:
- SIHR080N60E-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 279-9929
- Nº ref. fabric.:
- SIHR080N60E-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 51A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | E | |
| Encapsulado | 8x8LR | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.084Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 63nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 500W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 8mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 51A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie E | ||
Encapsulado 8x8LR | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.084Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 63nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 500W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 8mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia serie E de Vishay, tensión de fuente de drenaje de 600 V, corriente de drenaje continua máxima de 51 A - SIHR080N60E-T1-GE3
Este MOSFET de potencia es un dispositivo de conmutación de alta tensión diseñado para electrónica industrial exigente y sistemas de alimentación. Funciona como un transistor de canal N de modo de mejora adaptado para instalación de montaje en superficie y proporciona un rendimiento robusto para aplicaciones de alta tensión al tiempo que sigue siendo adecuado para entornos que requieren componentes de alimentación compactos montados en placa.
Características y ventajas:
• Capacidad de drenaje de 600 V para conmutación de alta tensión
• Manejo de corriente continua de 51 A para cargas pesadas
• Rds(on) bajo de 0,084 Ω para reducir las pérdidas por conducción
• Disipación de potencia de 500 W para espacio térmico
• Carga de puerta típica de 63 nC para un comportamiento de conmutación predecible
• Puerta de 30 V máxima para adaptarse a tensiones de accionamiento comunes
• Manejo de corriente continua de 51 A para cargas pesadas
• Rds(on) bajo de 0,084 Ω para reducir las pérdidas por conducción
• Disipación de potencia de 500 W para espacio térmico
• Carga de puerta típica de 63 nC para un comportamiento de conmutación predecible
• Puerta de 30 V máxima para adaptarse a tensiones de accionamiento comunes
Aplicaciones
• Apto para etapas de inversor de accionamiento de motor industrial
• Ideal para fuentes de alimentación y convertidores de alta tensión
• Se utiliza para la conversión dc-dc en equipos de automatización
• Se puede utilizar para etapas de conmutación en sistemas de gestión de potencia
• Se utiliza con conjuntos de alta temperatura en entornos hostiles
• Ideal para fuentes de alimentación y convertidores de alta tensión
• Se utiliza para la conversión dc-dc en equipos de automatización
• Se puede utilizar para etapas de conmutación en sistemas de gestión de potencia
• Se utiliza con conjuntos de alta temperatura en entornos hostiles
¿Qué intervalo de temperatura puede tolerar el dispositivo durante el funcionamiento?
Está diseñado para funcionar desde -55 °C hasta 150 °C, lo que permite su uso en sistemas expuestos a amplias variaciones térmicas.
¿Cómo está encapsulado el dispositivo para el montaje en PCB?
Se suministra en un encapsulado de montaje en superficie 8 x 8 LR con ocho contactos para admitir diseños de PCB compactos y colocación automatizada.
¿Qué consideraciones de accionamiento de puerta deben observarse?
La puerta no debe superar ±30 V
los diseñadores deben garantizar que los circuitos de accionamiento limiten Vgs dentro de este umbral para evitar daños en la puerta.
¿Cómo afecta el comportamiento de conmutación a la gestión térmica?
La carga de puerta típica de 63 nC influye en las pérdidas de conmutación y, por tanto, en la generación de calor durante el funcionamiento de alta frecuencia, lo que informa los requisitos de disipador o cobre de PCB.
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