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MOSFET
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Pares Darlington
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Transistores Bipolares
Precio (I.V.A. no incluido) | Descripción | Detalles del producto |
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Transistor digital, PDTC143XT,215, NPN 100 mA 50 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, Simple
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Transistor, BC846B,215, NPN 100 mA 65 V SOT-23 (TO-236AB), 3 pines, 100 MHz, Simple
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Diodo, BAT85,113, 200mA, 30V Barrera Schottky, 4ns, DO-34, 2-Pines 800mV
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Búfer, 74LVC1G17GV,125, LVC, Terminación Única, No Inversión SC-74A 5 pines, alimentación 1,65 → 5,5 V Sí
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74HCT595D,118, 74HCT, 8 bits Serie a serie, Paralelo, Unidireccional 16 pines SOIC 1
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NOR: Puerta lógica, 74HC02D,652, HC, Quad 5.2mA SOIC 14 pines 2 No
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Circuito integrado biestable, CI biestable, HEF4027BT,652, SOIC 16 pines Dual
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Multiplexor/Demultiplexor 74HC4051D,652, SOIC 16 pines
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Diodo, BAT85,113, 200mA, 30V Barrera Schottky, 4ns, DO-34, 2-Pines 800mV
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Búfer, 74LVC1G17GV,125, LVC, Terminación Única, No Inversión SC-74A 5 pines Sí
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Array de diodo TVS, PRTR5V0U4D,125, SOT-457 (SC-74), 6-Pines
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Multiplexor/Demultiplexor HEF4067BT,652, SOIC 24 pines
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Nexperia 3.7 x 1.6 x 1.6mm Simple BZV55-C12,115 +200 °C 500 mW 100nA 25Ω -65 °C Montaje superficial 12V 1 MiniMELF 2
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Transistor, BC807,215, PNP -500 mA -45 V SOT-23, 3 pines, Simple
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Multiplexor/Demultiplexor HEF4053BT,652, SOIC 16 pines
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Nexperia 4.25 x 1.85 x 1.85mm Simple BZX79-C12,113 +200 °C 500 mW 100nA 25Ω -65 °C Montaje en orificio pasante 12V 1
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Transistor, BC847BW,115, NPN 100 mA 45 V UMT, 3 pines, 100 MHz, Simple
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Nexperia 3.7 x 1.6 x 1.6mm Simple BZV55-C12,115 +200 °C 500 mW 100nA 25Ω -65 °C Montaje superficial 12V 1 MiniMELF 2
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Transistor, PBSS4250X,115, NPN 2 A 50 V UPAK, 4 pines, 100 MHz, Simple
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Nexperia 4.25 x 1.85 x 1.85mm Simple BZX79-C12,113 +200 °C 500 mW 100nA 25Ω -65 °C Montaje en orificio pasante 12V 1
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