Fairchild Semiconductor

Semiconductores Discretos

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Semiconductores Discretos
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Descripción
Detalles del producto
  • 0,01 €
    unitario (Suministrado en Carretes de 5000)
Diodo de uso general, 1N4148TA, 400mA, 100V Conexión de silicio, DO-35, 2-Pines 1V
  • Corriente Máxima Directa400mA
  • Configuración de diodoSimple
  • Número de Elementos por Chip1
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
  • Tensión Inversa Máxima100V
Consulte productos similares en Diodo de Conmutación
  • 0,011 €
    unitario (Suministrado en Carretes de 2000)
  • 0,012 €
    unitario (En una caja de 2000)
Diodo de conmutación, 1N4148, 300mA, 100V Conexión de silicio, DO-35, 2-Pines 1V
  • Corriente Máxima Directa300mA
  • Configuración de diodoSimple
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
  • Número de Elementos por Chip1
  • Tensión Inversa Máxima100V
Consulte productos similares en Diodo de Conmutación
  • 0,044 €
    unitario (Suministrado en múltiplos de 20)
Diodo de conmutación, 1N4148TR, 400mA, 100V Conexión de silicio, DO-35, 2-Pines 1V
  • Configuración de diodoSimple
  • Corriente Máxima Directa400mA
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
  • Número de Elementos por Chip1
  • Tensión Inversa Máxima100V
Consulte productos similares en Diodo de Conmutación
  • 9,947 €
    unitario (En un Tubo de 30)
IGBT, HGTG40N60A4, N-Canal, 75 A, 600 V, TO-247, 3-Pines Simple
  • Corriente Máxima Continua del Colector75 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor600 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±20V
  • Tipo de EncapsuladoTO-247
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
Consulte productos similares en IGBT
  • 2,712 €
    unitario (Suministrado en múltiplos de 5)
IGBT, ISL9V3040S3ST, N-Canal, 21 A, 450 V, D2PAK (TO-263), 3-Pines Simple
  • Corriente Máxima Continua del Colector21 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor450 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±14V
  • Disipación de Potencia Máxima150 W
  • Tipo de EncapsuladoD2PAK (TO-263)
Consulte productos similares en IGBT
  • 2,486 €
    unitario (En un Tubo de 50)
MOSFET Fairchild Semiconductor FDP038AN06A0, VDSS 60 V, ID 17 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje17 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente60 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-220AB
  • SeriePowerTrench
Consulte productos similares en MOSFET
  • 1,554 €
    unitario (Suministrado en Carretes de 800)
IGBT, ISL9V3040S3ST, N-Canal, 21 A, 450 V, D2PAK (TO-263), 3-Pines Simple
  • Corriente Máxima Continua del Colector21 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor450 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±14V
  • Disipación de Potencia Máxima150 W
  • Tipo de EncapsuladoD2PAK (TO-263)
Consulte productos similares en IGBT
  • 4,112 €
    unitario (Suministrado en múltiplos de 5)
IGBT, ISL9V5036S3ST, N-Canal, 46 A, 420 V, D2PAK (TO-263), 3-Pines Simple
  • Corriente Máxima Continua del Colector46 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor420 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±14V
  • Disipación de Potencia Máxima250 W
  • Tipo de EncapsuladoD2PAK (TO-263)
Consulte productos similares en IGBT
  • 2,061 €
    unitario (Suministrado en Carretes de 800)
IGBT, ISL9V5036S3ST, N-Canal, 46 A, 420 V, D2PAK (TO-263), 3-Pines Simple
  • Corriente Máxima Continua del Colector46 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor420 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±14V
  • Disipación de Potencia Máxima250 W
  • Tipo de EncapsuladoD2PAK (TO-263)
Consulte productos similares en IGBT
  • 0,849 €
    unitario (Suministrado en múltiplos de 10)
FIN1001M5X, SOT-23 5 pines
  • InterfazCircuito integrado del controlador de ADC diferencial
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
  • Tipo de EncapsuladoSOT-23
  • Conteo de Pines5
  • Dimensiones3 x 1.7 x 1.25mm
Consulte productos similares en Transistores Bipolares
  • 0,378 €
    unitario (Suministrado en múltiplos de 5)
Diodo TVS Bidireccional, P6KE22CA, 600W, DO-15, 2-Pines
  • Configuración de diodoSimple
  • Tipo de DirecciónBidireccional
  • Tensión Residual Máxima30.6V
  • Tensión Mínima de Ruptura20.9V
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
Consulte productos similares en Diodos TVS
  • 2,303 €
    unitario (En un Tubo de 50)
IGBT, ISL9V3040P3, N-Canal, 21 A, 450 V, TO-220AB, 3-Pines Simple
  • Corriente Máxima Continua del Colector21 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor450 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±14V
  • Disipación de Potencia Máxima150 W
  • Tipo de EncapsuladoTO-220AB
Consulte productos similares en IGBT
  • 2,898 €
    unitario (Suministrado en múltiplos de 5)
IGBT, ISL9V3040P3, N-Canal, 21 A, 450 V, TO-220AB, 3-Pines Simple
  • Corriente Máxima Continua del Colector21 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor450 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±14V
  • Disipación de Potencia Máxima150 W
  • Tipo de EncapsuladoTO-220AB
Consulte productos similares en IGBT
  • 0,628 €
    unitario (Suministrado en múltiplos de 5)
Transistor MOSFET Fairchild Semiconductor FQD10N20CTM, VDSS 200 V, ID 7.8 A, DPAK de 3 pines
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje7.8 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente200 V
  • SerieQFET
  • Tipo de EncapsuladoDPAK
Consulte productos similares en MOSFET
  • 2,36 €
    unitario (Suministrado en múltiplos de 2)
MOSFET Fairchild Semiconductor HUF75639G3, VDSS 100 V, ID 56 A, TO-247 de 3 pines, config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje56 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente100 V
  • SerieUltraFET
  • Tipo de EncapsuladoTO-247
Consulte productos similares en MOSFET
  • 0,826 €
    unitario (Suministrado en múltiplos de 5)
MOSFET Fairchild Semiconductor FDS3692, VDSS 100 V, ID 4.5 A, SOIC de 8 pines, config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje4.5 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente100 V
  • Tipo de EncapsuladoSOIC
  • SerieUltraFET
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