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Precio
(I.V.A. no incluido)
Descripción
Detalles del producto
Memoria FRAM Infineon FM25V20A-G, 8 pines, SOIC, SPI, 2Mbit, 256K x 8 bits, 16ns, 2 V a 3,6 V
  • 12,48 €Unidad
  • También disponible en empaquetado de producción industrial
Memoria FRAM Infineon FM25V20A-G, 8 pines, SOIC, SPI, 2Mbit, 256K x 8 bits, 16ns, 2 V a 3,6 V
  • Tamaño de la Memoria2Mbit
  • Organización256K x 8 bits
  • Tipo de InterfazSPI
  • Ancho del Bus de Datos8bit
  • Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo16ns
Consulte productos similares en Memoria FRAM
MOSFET Infineon IRFP90N20DPBF, VDSS 200 V, ID 94 A, TO-247AC de 3 pines, , config. Simple
  • 5,56 €Unidad
  • También disponible en empaquetado de producción industrial
MOSFET Infineon IRFP90N20DPBF, VDSS 200 V, ID 94 A, TO-247AC de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje94 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente200 V
  • SerieHEXFET
  • Tipo de EncapsuladoTO-247AC
Consulte productos similares en MOSFET
MOSFET Infineon BSS308PEH6327XTSA1, VDSS 30 V, ID 1,6 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
  • 0,10 €
    unitario (Suministrado en Carretes de 3000)
MOSFET Infineon BSS308PEH6327XTSA1, VDSS 30 V, ID 1,6 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalP
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje1,6 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente30 V
  • Tipo de EncapsuladoSOT-23
  • SerieOptiMOS P
Consulte productos similares en MOSFET
MOSFET Infineon IRF7389TRPBF, VDSS 30 V, ID 5,3 A, 7,3 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado
  • 0,386 €
    unitario (Suministrado en Carretes de 4000)
MOSFET Infineon IRF7389TRPBF, VDSS 30 V, ID 5,3 A, 7,3 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado
  • Tipo de CanalN, P
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje5,3 A, 7,3 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente30 V
  • SerieHEXFET
  • Tipo de EncapsuladoSOIC
Consulte productos similares en MOSFET
MOSFET Infineon IPW65R045C7FKSA1, VDSS 700 V, ID 46 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
  • 10,82 €Unidad
  • También disponible en empaquetado de producción industrial
MOSFET Infineon IPW65R045C7FKSA1, VDSS 700 V, ID 46 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje46 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente700 V
  • SerieCoolMOS™ C7
  • Tipo de EncapsuladoTO-247
Consulte productos similares en MOSFET
MOSFET Infineon SPA15N60C3XKSA1, VDSS 650 V, ID 15 A, TO-220 FP de 3 pines, , config. Simple
  • 2,16 €Unidad
  • También disponible en empaquetado de producción industrial
MOSFET Infineon SPA15N60C3XKSA1, VDSS 650 V, ID 15 A, TO-220 FP de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje15 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente650 V
  • SerieCoolMOS™ C3
  • Tipo de EncapsuladoTO-220 FP
Consulte productos similares en MOSFET
MOSFET Infineon IRFP4110PBF, VDSS 100 V, ID 180 A, TO-247AC de 3 pines, , config. Simple
  • 3,062 €
    unitario (En un Tubo de 25)
MOSFET Infineon IRFP4110PBF, VDSS 100 V, ID 180 A, TO-247AC de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje180 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente100 V
  • SerieHEXFET
  • Tipo de EncapsuladoTO-247AC
Consulte productos similares en MOSFET
MOSFET Infineon IPW65R045C7FKSA1, VDSS 700 V, ID 46 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
  • 7,31 €
    unitario (En un Tubo de 30)
MOSFET Infineon IPW65R045C7FKSA1, VDSS 700 V, ID 46 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje46 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente700 V
  • SerieCoolMOS™ C7
  • Tipo de EncapsuladoTO-247
Consulte productos similares en MOSFET
Diodo, IDW100E60FKSA1, Conmutación, 100A, 600V Conexión de silicio, 120ns, TO-247, 3-Pines 2V
  • 2,598 €
    unitario (En un Tubo de 30)
Diodo, IDW100E60FKSA1, Conmutación, 100A, 600V Conexión de silicio, 120ns, TO-247, 3-Pines 2V
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
  • Tipo de EncapsuladoTO-247
  • Corriente Continua Máxima Directa100A
  • Tensión Repetitiva Inversa de Pico600V
  • Configuración de diodoSimple
Consulte productos similares en Diodos Schottky y Rectificadores
Interruptor de potencia inteligente ITS4141NHUMA1, Interruptor de lado alto -0.3 → 48V 0.7A SOT-223 3 + Tab pines
  • 0,838 €
    unitario (Suministrado en Carretes de 4000)
Interruptor de potencia inteligente ITS4141NHUMA1, Interruptor de lado alto -0.3 → 48V 0.7A SOT-223 3 + Tab pines
  • Power Switch TypeInterruptor de lado alto
  • Topología de interruptor de alimentaciónLado alto
  • Resistencia de Encendido320mΩ
  • Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento48 V
  • Número de Salidas1
Consulte productos similares en Circuitos Integrados de Interruptor de Alimentación
Diodo, IDW100E60FKSA1, Conmutación, 100A, 600V Conexión de silicio, 120ns, TO-247, 3-Pines 2V
  • 3,27 €
    unitario (Suministrado en múltiplos de 2)
  • También disponible en empaquetado de producción industrial
Diodo, IDW100E60FKSA1, Conmutación, 100A, 600V Conexión de silicio, 120ns, TO-247, 3-Pines 2V
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
  • Tipo de EncapsuladoTO-247
  • Corriente Continua Máxima Directa100A
  • Tensión Repetitiva Inversa de Pico600V
  • Configuración de diodoSimple
Consulte productos similares en Diodos Schottky y Rectificadores
MOSFET Infineon BSS308PEH6327XTSA1, VDSS 30 V, ID 1,6 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
  • 0,273 €
    unitario (Suministrado en múltiplos de 50)
  • También disponible en empaquetado de producción industrial
MOSFET Infineon BSS308PEH6327XTSA1, VDSS 30 V, ID 1,6 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalP
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje1,6 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente30 V
  • SerieOptiMOS P
  • Tipo de EncapsuladoSOT-23
Consulte productos similares en MOSFET
MOSFET Infineon IRF1405PBF, VDSS 55 V, ID 169 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple
  • 1,96 €
    unitario (En un Tubo de 50)
MOSFET Infineon IRF1405PBF, VDSS 55 V, ID 169 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje169 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente55 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-220AB
  • SerieHEXFET
Consulte productos similares en MOSFET
Memoria FRAM Infineon FM25V20A-G, 8 pines, SOIC, SPI, 2Mbit, 256 k x 8 bits, 16ns, 2 V a 3,6 V
  • 13,908 €
    unitario (En un Tubo de 94)
Memoria FRAM Infineon FM25V20A-G, 8 pines, SOIC, SPI, 2Mbit, 256 k x 8 bits, 16ns, 2 V a 3,6 V
  • Tamaño de la Memoria2Mbit
  • Organización256 k x 8 bits
  • Tipo de InterfazSPI
  • Ancho del Bus de Datos8bit
  • Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo16ns
Consulte productos similares en Memoria FRAM
Controlador de tensión ICE3B0565JFKLA1, Controlador SMPS, PDIP, 8 pines
  • 2,111 €
    unitario (Suministrado en múltiplos de 10)
Controlador de tensión ICE3B0565JFKLA1, Controlador SMPS, PDIP, 8 pines
  • Tipo de ControladorControlador SMPS
  • Tipo de conversión de corrienteAc-dc
  • Frecuencia de Conmutación Máxima76 kHz
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
  • Tipo de EncapsuladoPDIP
Consulte productos similares en Controladores de Tensión
MOSFET Infineon IRFP4227PBF, VDSS 200 V, ID 65 A, TO-247AC de 3 pines, , config. Simple
  • 3,61 €Unidad
  • También disponible en empaquetado de producción industrial
MOSFET Infineon IRFP4227PBF, VDSS 200 V, ID 65 A, TO-247AC de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje65 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente200 V
  • SerieHEXFET
  • Tipo de EncapsuladoTO-247AC
Consulte productos similares en MOSFET
MOSFET Infineon IPB80N04S404ATMA1, VDSS 40 V, ID 80 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple
  • 1,07 €
    unitario (Suministrado en múltiplos de 25)
  • También disponible en empaquetado de producción industrial
MOSFET Infineon IPB80N04S404ATMA1, VDSS 40 V, ID 80 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje80 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente40 V
  • SerieOptiMOS™ -T2
  • Tipo de EncapsuladoD2PAK (TO-263)
Consulte productos similares en MOSFET
AEC-Q100 Memoria FRAM Infineon FM24W256-G, 8 pines, SOIC, I2C, 256kbit, 32K x 8 bits, 3000ns, 2,7 V a 5,5 V
  • 5,22 €
    unitario (En un Tubo de 97)
AEC-Q100 Memoria FRAM Infineon FM24W256-G, 8 pines, SOIC, I2C, 256kbit, 32K x 8 bits, 3000ns, 2,7 V a 5,5 V
  • Tamaño de la Memoria256kbit
  • Organización32K x 8 bits
  • Tipo de InterfazI2C
  • Ancho del Bus de Datos8bit
  • Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo3000ns
Consulte productos similares en Memoria FRAM
MOSFET Infineon IPA105N15N3GXKSA1, VDSS 150 V, ID 37 A, TO-220 FP de 3 pines, , config. Simple
  • 4,653 €
    unitario (Suministrado en múltiplos de 4)
  • También disponible en empaquetado de producción industrial
MOSFET Infineon IPA105N15N3GXKSA1, VDSS 150 V, ID 37 A, TO-220 FP de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje37 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente150 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-220 FP
  • SerieOptiMOS™ 3
Consulte productos similares en MOSFET
MOSFET Infineon SPW17N80C3FKSA1, VDSS 800 V, ID 17 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
  • 3,515 €
    unitario (En un Tubo de 30)
MOSFET Infineon SPW17N80C3FKSA1, VDSS 800 V, ID 17 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje17 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente800 V
  • SerieCoolMOS™ C3
  • Tipo de EncapsuladoTO-247
Consulte productos similares en MOSFET
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