Infineon

Semiconductores Discretos

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Precio
(I.V.A. no incluido)
Descripción
Detalles del producto
  • 1,15 €Unidad
MOSFET Infineon IRL530NPBF, VDSS 100 V, ID 17 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje17 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente100 V
  • SerieLogicFET
  • Tipo de EncapsuladoTO-220AB
Consulte productos similares en MOSFET
  • 0,106 €
    unitario (Suministrado en Carretes de 3000)
Diodo, BAT60AE6327HTSA1, 3A, 10V Barrera Schottky, SOD-323, 2-Pines 370mV
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
  • Tipo de EncapsuladoSOD-323
  • Corriente Continua Máxima Directa3A
  • Tensión Repetitiva Inversa de Pico10V
  • Configuración de diodoSimple
Consulte productos similares en Diodos Schottky y Rectificadores
  • 5,67 €Unidad
MOSFET Infineon SPW20N60C3FKSA1, VDSS 650 V, ID 21 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje21 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente650 V
  • SerieCoolMOS™ C3
  • Tipo de EncapsuladoTO-247
Consulte productos similares en MOSFET
  • 4,744 €
    unitario (En un Tubo de 30)
MOSFET Infineon SPW20N60C3FKSA1, VDSS 650 V, ID 20,7 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje20,7 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente650 V
  • SerieCoolMOS™ C3
  • Tipo de EncapsuladoTO-247
Consulte productos similares en MOSFET
  • 0,282 €
    unitario (Suministrado en múltiplos de 25)
Diodo, BAT60AE6327HTSA1, 3A, 10V Barrera Schottky, SOD-323, 2-Pines 370mV
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
  • Tipo de EncapsuladoSOD-323
  • Corriente Continua Máxima Directa3A
  • Tensión Repetitiva Inversa de Pico10V
  • Configuración de diodoSimple
Consulte productos similares en Diodos Schottky y Rectificadores
  • 7,225 €
    unitario (Suministrado en múltiplos de 2)
MOSFET Infineon IRFP7718PBF, VDSS 75 V, ID 355 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje355 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente75 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-247
  • SerieHEXFET
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  • 5,951 €
    unitario (En un Tubo de 25)
MOSFET Infineon IRFP7718PBF, VDSS 75 V, ID 355 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje355 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente75 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-247
  • SerieHEXFET
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  • 1,028 €
    unitario (En un Tubo de 50)
MOSFET Infineon IRF1404PBF, VDSS 40 V, ID 202 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje202 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente40 V
  • SerieHEXFET
  • Tipo de EncapsuladoTO-220AB
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  • 0,496 €
    unitario (Suministrado en múltiplos de 10)
MOSFET Infineon IPP039N04LGXKSA1, VDSS 40 V, ID 80 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje80 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente40 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-220
  • SerieOptiMOS™ 3
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  • 1,078 €
    unitario (En un Tubo de 50)
MOSFET Infineon IPP039N04LGXKSA1, VDSS 40 V, ID 80 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje80 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente40 V
  • SerieOptiMOS™ 3
  • Tipo de EncapsuladoTO-220
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  • 138,43 €Unidad
Módulo IGBT, FF200R12KE3HOSA1, N-Canal, 295 A, 1.200 V, Módulo 62MM, 7-Pines, 1MHZ Serie
  • Corriente Máxima Continua del Colector295 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor1.200 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±20V
  • Disipación de Potencia Máxima1050 W
  • ConfiguraciónSerie
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  • 84,065 €
    unitario (En una caja de 10)
Módulo IGBT, FF200R12KE3HOSA1, N-Canal, 295 A, 1.200 V, Módulo 62MM, 7-Pines, 1MHZ Serie
  • Corriente Máxima Continua del Colector295 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor1.200 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±20V
  • Disipación de Potencia Máxima1050 W
  • ConfiguraciónSerie
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  • 1,28 €Unidad
MOSFET Infineon IRF1404PBF, VDSS 40 V, ID 202 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje202 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente40 V
  • SerieHEXFET
  • Tipo de EncapsuladoTO-220AB
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  • 0,832 €
    unitario (En un Tubo de 50)
MOSFET Infineon IRLZ44NPBF, VDSS 55 V, ID 47 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje47 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente55 V
  • SerieHEXFET
  • Tipo de EncapsuladoTO-220AB
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  • 0,631 €
    unitario (Suministrado en múltiplos de 20)
MOSFET Infineon IRF540NPBF, VDSS 100 V, ID 33 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje33 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente100 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-220AB
  • SerieHEXFET
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  • 1,97 €Unidad
MOSFET Infineon IRF5210PBF, VDSS 100 V, ID 40 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalP
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje40 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente100 V
  • SerieHEXFET
  • Tipo de EncapsuladoTO-220AB
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  • 1,554 €
    unitario (En un Tubo de 50)
MOSFET Infineon IRF5210PBF, VDSS 100 V, ID 40 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalP
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje40 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente100 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-220AB
  • SerieHEXFET
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  • 1,04 €Unidad
MOSFET Infineon IRLZ44NPBF, VDSS 55 V, ID 47 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje47 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente55 V
  • SerieHEXFET
  • Tipo de EncapsuladoTO-220AB
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  • 0,647 €
    unitario (En un Tubo de 50)
MOSFET Infineon IRF530NPBF, VDSS 100 V, ID 17 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje17 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente100 V
  • SerieHEXFET
  • Tipo de EncapsuladoTO-220AB
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  • 26,796 €
    unitario (En una caja de 24)
Módulo IGBT, FS30R06W1E3B11BOMA1, N-Canal, 45 A, 600 V, EASY1B, 22-Pines, 1MHZ Trifásico
  • Corriente Máxima Continua del Colector45 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor600 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±20V
  • Disipación de Potencia Máxima150 W
  • Tipo de EncapsuladoEASY1B
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