IXYS

Semiconductores

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Precio
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Descripción
Detalles del producto
  • 28,13 €Unidad
MOSFET IXYS IXFN48N60P, VDSS 600 V, ID 40 A, SOT-227 de 4 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje40 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente600 V
  • Tipo de EncapsuladoSOT-227
  • SerieHiperFET, Polar
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  • 29,909 €
    unitario (En una caja de 36)
Diodo, MDD95-12N1B, 120A, 1200V Conexión de silicio, TO-240AA, 7-Pines 1.43V
  • Tipo de MontajeMontaje en panel
  • Tipo de EncapsuladoTO-240AA
  • Corriente Continua Máxima Directa120A
  • Tensión Repetitiva Inversa de Pico1200V
  • Configuración de diodoSerie
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  • 21,052 €
    unitario (En un Tubo de 25)
MOSFET IXYS IXFB132N50P3, VDSS 500 V, ID 132 A, PLUS264 de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje132 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente500 V
  • Tipo de EncapsuladoPLUS264
  • SerieHiperFET, Polar3
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  • 25,506 €
    unitario (En un Tubo de 25)
MOSFET IXYS IXFK27N80Q, VDSS 800 V, ID 27 A, TO-264AA de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje27 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente800 V
  • SerieHiperFET, Q-Class
  • Tipo de EncapsuladoTO-264AA
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  • 52,03 €Unidad
Módulo tiristor Módulo SCR, MCD94-22IO1B, 2200V, 104A, 100mA, TO-240AA, 5-Pines
  • Corriente de Encendido Medio Nominal104A
  • Tipo de TiristorMódulo SCR
  • Tipo de EncapsuladoTO-240AA
  • Tensión Inversa de Pico Repetitiva2200V
  • Corriente Nominal de Supresión1.8kA
Consulte productos similares en Tiristores
  • Código RS
    194-108
  • Fabricante
    IXYS
  • Nº ref. fabric.
    MCD94-22IO1B
  • 26,479 €
    unitario (En un Tubo de 10)
MOSFET IXYS IXFN140N20P, VDSS 200 V, ID 115 A, SOT-227 de 4 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje115 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente200 V
  • SerieHiperFET, Polar
  • Tipo de EncapsuladoSOT-227
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  • 128,33 €Unidad
Módulo tiristor doble Módulo SCR, MCC200-16IO1, 1600V, 216A, 150mA, Y4 M6, 7-Pines
  • Corriente de Encendido Medio Nominal216A
  • Tipo de TiristorMódulo SCR
  • Tipo de EncapsuladoY4 M6
  • Tensión Inversa de Pico Repetitiva1600V
  • Corriente Nominal de Supresión8.6kA
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  • Código RS
    462-186
  • Fabricante
    IXYS
  • Nº ref. fabric.
    MCC200-16IO1
  • 167,503 €
    unitario (En una caja de 3)
Diodo, MDD255-22N1, Alta tensión, 270A, 2200V Conexión de silicio, Y1 CU, 3-Pines 1.4V
  • Tipo de MontajeMontaje en panel
  • Tipo de EncapsuladoY1 CU
  • Corriente Continua Máxima Directa270A
  • Tensión Repetitiva Inversa de Pico2200V
  • Configuración de diodoSerie
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  • 21,831 €
    unitario (En un Tubo de 25)
IGBT, IXYK100N120C3, N-Canal, 188 A, 1.200 V, TO-264, 3-Pines, 50kHz Simple
  • Corriente Máxima Continua del Colector188 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor1.200 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±20V
  • Disipación de Potencia Máxima1150 W
  • Tipo de EncapsuladoTO-264
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  • 34,58 €Unidad
Diodo, MDD95-12N1B, 120A, 1200V, TO-240AA, 7-Pines 1.43V
  • Tipo de MontajeMontaje en panel
  • Tipo de EncapsuladoTO-240AA
  • Corriente Continua Máxima Directa120A
  • Tensión Repetitiva Inversa de Pico1200V
  • Configuración de diodoSerie
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  • 26,775 €
    unitario (En un Tubo de 25)
MOSFET IXYS IXFB210N30P3, VDSS 300 V, ID 210 A, PLUS264 de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje210 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente300 V
  • Tipo de EncapsuladoPLUS264
  • SerieHiperFET, Polar3
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  • 24,062 €
    unitario (En un Tubo de 25)
MOSFET IXYS IXFK64N50Q3, VDSS 500 V, ID 64 A, TO-264 de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje64 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente500 V
  • SerieHiperFET, Q3-Class
  • Tipo de EncapsuladoTO-264
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  • 23,873 €
    unitario (En un Tubo de 10)
MOSFET IXYS IXFN180N15P, VDSS 150 V, ID 150 A, SOT-227 de 4 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje150 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente150 V
  • Tipo de EncapsuladoSOT-227
  • SerieHiperFET, Polar
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  • 47,50 €Unidad
Diodo, MDD95-22N1B, Alta tensión, 120A, 2200V Conexión de silicio, TO-240AA, 3-Pines 1.43V
  • Tipo de MontajeMontaje en panel
  • Tipo de EncapsuladoTO-240AA
  • Corriente Continua Máxima Directa120A
  • Tensión Repetitiva Inversa de Pico2200V
  • Configuración de diodoSerie
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  • 29,41 €Unidad
MOSFET IXYS IXFX32N80Q3, VDSS 800 V, ID 32 A, PLUS247 de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje32 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente800 V
  • Tipo de EncapsuladoPLUS247
  • SerieHiperFET, Q3-Class
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  • 43,58 €Unidad
MOSFET IXYS IXFN210N30P3, VDSS 300 V, ID 192 A, SOT-227 de 4 pines, config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje192 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente300 V
  • Tipo de EncapsuladoSOT-227
  • SerieHiperFET, Polar3
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  • 2,286 €
    unitario (Suministrado en múltiplos de 5)
Diodo, DHG10I1200PA, Conmutación, 10A, 1200V Conexión de silicio, 75ns, TO-220AC, 2-Pines 3.56V
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
  • Tipo de EncapsuladoTO-220AC
  • Corriente Continua Máxima Directa10A
  • Tensión Repetitiva Inversa de Pico1200V
  • Configuración de diodoSimple
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  • Código RS
    462-085
  • Fabricante
    IXYS
  • Nº ref. fabric.
    DHG10I1200PA
  • 22,83 €Unidad
MOSFET IXYS IXTK120N65X2, VDSS 650 V, ID 120 A, TO-264P de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje120 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente650 V
  • SerieX2-Class
  • Tipo de EncapsuladoTO-264P
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  • 4,835 €
    unitario (Suministrado en múltiplos de 2)
IGBT, IXA12IF1200HB, N-Canal, 20 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines Simple
  • Corriente Máxima Continua del Colector20 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor1.200 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±20V
  • Disipación de Potencia Máxima85 W
  • Tipo de EncapsuladoTO-247
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  • 29,14 €Unidad
Diodo, DSEP2x31-06A, Recuperación rápida, 30A, 600V Conexión de silicio, 90ns, SOT-227B, 4-Pines 1.88V
  • Tipo de MontajeMontaje en panel
  • Tipo de EncapsuladoSOT-227B
  • Corriente Continua Máxima Directa30A
  • Tensión Repetitiva Inversa de Pico600V
  • Configuración de diodoAislado
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