IXYS

Semiconductores

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Precio
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Descripción
Detalles del producto
  • 10,718 €
    unitario (En un Tubo de 30)
MOSFET IXYS IXFH30N50Q3, VDSS 500 V, ID 30 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje30 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente500 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-247
  • SerieHiperFET, Q-Class
Consulte productos similares en MOSFET
  • 5,57 €Unidad
Diodo, DSA2-16A, 7A, 1600V Conexión de silicio, 2-Pines 1.25V, Conexión de silicio
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
  • Corriente Continua Máxima Directa7A
  • Tensión Repetitiva Inversa de Pico1600V
  • Configuración de diodoSimple
  • Tipo de DiodoConexión de silicio
Consulte productos similares en Diodos Schottky y Rectificadores
  • 18,52 €Unidad
IGBT, IXYH82N120C3, N-Canal, 200 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines, 50kHz Simple
  • Corriente Máxima Continua del Colector200 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor1.200 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±20V
  • Disipación de Potencia Máxima1.250 W
  • Tipo de EncapsuladoTO-247
Consulte productos similares en IGBT
  • 23,74 €Unidad
IGBT, IXYK100N120C3, N-Canal, 188 A, 1.200 V, TO-264, 3-Pines, 50kHz Simple
  • Corriente Máxima Continua del Colector188 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor1.200 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±20V
  • Disipación de Potencia Máxima1150 W
  • Tipo de EncapsuladoTO-264
Consulte productos similares en IGBT
  • 118,92 €Unidad
Módulo tiristor doble Módulo SCR, MCC161-22IO1, 2200V, 165A, 150mA, Y4 M6, 7-Pines
  • Corriente de Encendido Medio Nominal165A
  • Tipo de TiristorMódulo SCR
  • Tipo de EncapsuladoY4 M6
  • Tensión Inversa de Pico Repetitiva2200V
  • Corriente Nominal de Supresión6.4kA
Consulte productos similares en Tiristores
  • Código RS
    194-518
  • Fabricante
    IXYS
  • Nº ref. fabric.
    MCC161-22IO1
  • 62,94 €Unidad
Módulo tiristor Módulo SCR, MCD162-16IO1, 1600V, 190A, 150mA, Y4 M6, 5-Pines
  • Corriente de Encendido Medio Nominal190A
  • Tipo de TiristorMódulo SCR
  • Tipo de EncapsuladoY4 M6
  • Tensión Inversa de Pico Repetitiva1600V
  • Corriente Nominal de Supresión6.4kA
Consulte productos similares en Tiristores
  • Código RS
    194-209
  • Fabricante
    IXYS
  • Nº ref. fabric.
    MCD162-16IO1
  • 2,048 €
    unitario (En un Tubo de 50)
Diodo, DHG10I1200PA, Conmutación, 10A, 1200V Conexión de silicio, 75ns, TO-220AC, 2-Pines 3.56V
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
  • Tipo de EncapsuladoTO-220AC
  • Corriente Continua Máxima Directa10A
  • Tensión Repetitiva Inversa de Pico1200V
  • Configuración de diodoSimple
Consulte productos similares en Diodos Schottky y Rectificadores
  • 12,67 €Unidad
IGBT, IXYH30N120C3D1, N-Canal, 66 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines, 50kHz Simple
  • Corriente Máxima Continua del Colector66 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor1.200 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±20V
  • Disipación de Potencia Máxima416 W
  • Tipo de EncapsuladoTO-247
Consulte productos similares en IGBT
  • 2,349 €
    unitario (En un Tubo de 50)
Diodo de conmutación, DSEP15-06B Conexión de silicio, TO-220AC, 2-Pines 2.52V
  • Configuración de diodoSimple
  • Número de Elementos por Chip1
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
  • Tipo de EncapsuladoTO-220AC
  • Tecnología de diodoConexión de silicio
Consulte productos similares en Diodo de Conmutación
  • 27,128 €
    unitario (En un Tubo de 30)
MOSFET IXYS IXFX32N80Q3, VDSS 800 V, ID 32 A, PLUS247 de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje32 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente800 V
  • Tipo de EncapsuladoPLUS247
  • SerieHiperFET, Q3-Class
Consulte productos similares en MOSFET
  • 29,04 €Unidad
MOSFET IXYS IXFB210N30P3, VDSS 300 V, ID 210 A, PLUS264 de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje210 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente300 V
  • Tipo de EncapsuladoPLUS264
  • SerieHiperFET, Polar3
Consulte productos similares en MOSFET
  • 13,203 €
    unitario (En un Tubo de 30)
MOSFET IXYS IXFH70N20Q3, VDSS 200 V, ID 70 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje70 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente200 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-247
  • SerieHiperFET, Q3-Class
Consulte productos similares en MOSFET
  • 29,159 €
    unitario (En una caja de 36)
Módulo tiristor doble Módulo SCR, MCC26-16IO1B, 1600V, 32A, 100mA, TO-240AA, 7-Pines
  • Corriente de Encendido Medio Nominal32A
  • Tipo de TiristorMódulo SCR
  • Tipo de EncapsuladoTO-240AA
  • Tensión Inversa de Pico Repetitiva1600V
  • Corriente Nominal de Supresión0.56kA
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  • 68,28 €Unidad
IGBT, IXYN82N120C3H1, N-Canal, 105 A, 1.200 V, SOT-227B, 4-Pines, 20 → 50kHz Simple
  • Corriente Máxima Continua del Colector105 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor1.200 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±20V
  • Disipación de Potencia Máxima500 W
  • Tipo de EncapsuladoSOT-227B
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  • 29,579 €
    unitario (En un Tubo de 30)
IGBT, IXYX120N120C3, N-Canal, 240 A, 1.200 V, PLUS247, 3-Pines, 50kHz Simple
  • Corriente Máxima Continua del Colector240 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor1.200 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±20V
  • Disipación de Potencia Máxima1.500 W
  • Tipo de EncapsuladoPLUS247
Consulte productos similares en IGBT
  • 26,09 €Unidad
MOSFET IXYS IXFK64N50Q3, VDSS 500 V, ID 64 A, TO-264 de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje64 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente500 V
  • SerieHiperFET, Q3-Class
  • Tipo de EncapsuladoTO-264
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  • 22,075 €
    unitario (En un Tubo de 10)
Diodo, DSEI2X30-10B, Conmutación, 30A, 1000V Conexión de silicio, 50ns, SOT-227B, 4-Pines 2.4V
  • Tipo de MontajeMontaje en panel
  • Tipo de EncapsuladoSOT-227B
  • Corriente Continua Máxima Directa30A
  • Tensión Repetitiva Inversa de Pico1000V
  • Configuración de diodoAislado
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  • 51,036 €
    unitario (En un Tubo de 10)
MOSFET IXYS IXFN100N50Q3, VDSS 500 V, ID 82 A, SOT-227 de 4 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje82 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente500 V
  • Tipo de EncapsuladoSOT-227
  • SerieHiperFET, Q3-Class
Consulte productos similares en MOSFET
  • 11,65 €
    unitario (En un Tubo de 30)
IGBT, IXYH30N120C3D1, N-Canal, 66 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines, 50kHz Simple
  • Corriente Máxima Continua del Colector66 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor1.200 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±20V
  • Disipación de Potencia Máxima416 W
  • Tipo de EncapsuladoTO-247
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  • 15,14 €
    unitario (En un Tubo de 25)
IGBT, IXXK110N65B4H1, N-Canal, 570 A, 650 V, TO-264, 3-Pines, 10 → 30kHz 1 Simple
  • Corriente Máxima Continua del Colector570 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor650 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±20V
  • Disipación de Potencia Máxima880 W
  • Número de transistores1
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