IXYS

Semiconductores

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Precio
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Descripción
Detalles del producto
  • 4,49 €Unidad
MOSFET IXYS IXTP75N10P, VDSS 100 V, ID 75 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje75 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente100 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-220
  • SerieHiperFET, Polar
Consulte productos similares en MOSFET
  • 30,88 €Unidad
Rectificador en puente, DMA90U1800LB , Trifásico 1800V, SMPD, 9 pines
  • Tipo de PuenteTrifásico
  • Tensión Repetitiva Inversa de Pico1800V
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
  • Tipo de EncapsuladoSMPD
  • Conteo de Pines9
Consulte productos similares en Puentes Rectificadores
  • 1,937 €
    unitario (En un Tubo de 50)
Diodo de conmutación, DSEP8-12A Conexión de silicio, TO-220AC, 2-Pines 2.94V
  • Configuración de diodoSimple
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
  • Número de Elementos por Chip1
  • Tipo de EncapsuladoTO-220AC
  • Tecnología de diodoConexión de silicio
Consulte productos similares en Diodo de Conmutación
  • 5,02 €Unidad
Diodo de conmutación, DSEP30-06A Conexión de silicio, TO-247AD, 2-Pines 1.6V
  • Configuración de diodoSimple
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
  • Número de Elementos por Chip1
  • Tipo de EncapsuladoTO-247AD
  • Tecnología de diodoConexión de silicio
Consulte productos similares en Diodo de Conmutación
  • 28,389 €
    unitario (En un Tubo de 30)
MOSFET IXYS IXFX32N100Q3, VDSS 1.000 V, ID 32 A, PLUS247 de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje32 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente1.000 V
  • Tipo de EncapsuladoPLUS247
  • SerieHiperFET, Q3-Class
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  • 23,56 €Unidad
IGBT, IXYX100N120C3, N-Canal, 188 A, 1.200 V, PLUS247, 3-Pines, 50kHz Simple
  • Corriente Máxima Continua del Colector188 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor1.200 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±20V
  • Disipación de Potencia Máxima1150 W
  • Tipo de EncapsuladoPLUS247
Consulte productos similares en IGBT
  • 15,96 €Unidad
MOSFET IXYS IXFH36N60P, VDSS 600 V, ID 36 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje36 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente600 V
  • SerieHiperFET, Polar
  • Tipo de EncapsuladoTO-247
Consulte productos similares en MOSFET
  • 30,707 €
    unitario (En un Tubo de 10)
MOSFET IXYS IXFN80N50P, VDSS 500 V, ID 66 A, SOT-227 de 4 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje66 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente500 V
  • SerieHiperFET, Polar
  • Tipo de EncapsuladoSOT-227
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  • 4,014 €
    unitario (En un Tubo de 30)
Diodo de conmutación, DSEP30-06B Conexión de silicio, TO-247AC, 2-Pines 2.51V
  • Configuración de diodoSimple
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
  • Número de Elementos por Chip1
  • Tipo de EncapsuladoTO-247AC
  • Tecnología de diodoConexión de silicio
Consulte productos similares en Diodo de Conmutación
  • 32,83 €
    unitario (En un Tubo de 10)
Diodo, DSEP2X91-06A, Recuperación rápida, 90A, 600V Conexión de silicio, 35ns, SOT-227B, 4-Pines 2.35V
  • Tipo de MontajeMontaje en panel
  • Tipo de EncapsuladoSOT-227B
  • Corriente Continua Máxima Directa90A
  • Tensión Repetitiva Inversa de Pico600V
  • Configuración de diodoAislado
Consulte productos similares en Diodos Schottky y Rectificadores
  • 33,30 €Unidad
MOSFET IXYS IXFN80N50P, VDSS 500 V, ID 66 A, SOT-227 de 4 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje66 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente500 V
  • Tipo de EncapsuladoSOT-227
  • SerieHiperFET, Polar
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  • 20,578 €
    unitario (En un Tubo de 10)
Diodo, DSI2X55-12A, Conmutación, 56A, 1200V Conexión de silicio, SOT-227B, 4-Pines 1.2V
  • Tipo de MontajeMontaje en panel
  • Tipo de EncapsuladoSOT-227B
  • Corriente Continua Máxima Directa56A
  • Tensión Repetitiva Inversa de Pico1200V
  • Configuración de diodoAislado
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  • 4,845 €
    unitario (Suministrado en múltiplos de 2)
IGBT, IXA20I1200PB, N-Canal, 38 A, 1.200 V, TO-220, 3-Pines Simple
  • Corriente Máxima Continua del Colector38 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor1.200 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±20V
  • Disipación de Potencia Máxima165 W
  • Tipo de EncapsuladoTO-220
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  • 36,008 €
    unitario (En una caja de 6)
Diodo, MDMA110P1600TG, 110A, 1600V Conexión de silicio, TO-240, 7-Pines 1.42V
  • Tipo de MontajeMontaje en panel
  • Tipo de EncapsuladoTO-240
  • Corriente Continua Máxima Directa110A
  • Tensión Repetitiva Inversa de Pico1600V
  • Configuración de diodoSerie
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  • 42,561 €
    unitario (En un Tubo de 20)
MOSFET IXYS MMIX1T550N055T2, VDSS 55 V, ID 550 A, SMPD de 24 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje550 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente55 V
  • Tipo de EncapsuladoSMPD
  • SerieGigaMOS, HiperFET
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  • 3,596 €
    unitario (En un Tubo de 50)
MOSFET IXYS IXTP75N10P, VDSS 100 V, ID 75 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje75 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente100 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-220
  • SerieHiperFET, Polar
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  • 28,35 €Unidad
IGBT, IXYB82N120C3H1, N-Canal, 164 A, 1.200 V, PLUS264, 3-Pines, 50kHz Simple
  • Corriente Máxima Continua del Colector164 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor1.200 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±20V
  • Disipación de Potencia Máxima1040 W
  • Tipo de EncapsuladoPLUS264
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  • 29,50 €Unidad
MOSFET IXYS IXFR64N50Q3, VDSS 500 V, ID 45 A, ISOPLUS247 de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje45 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente500 V
  • SerieHiperFET, Q3-Class
  • Tipo de EncapsuladoISOPLUS247
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  • 9,19 €Unidad
MOSFET IXYS IXTH110N25T, VDSS 250 V, ID 110 A, TO-247 de 3 pines
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje110 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente250 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-247
  • SerieTrench
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  • 12,019 €
    unitario (En un Tubo de 30)
MOSFET IXYS IXFH88N30P, VDSS 300 V, ID 88 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje88 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente300 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-247
  • SerieHiperFET, Polar
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