IXYS

Semiconductores

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Descripción
Detalles del producto
  • 10,80 €Unidad
MOSFET IXYS IXFH44N50P, VDSS 500 V, ID 44 A, TO-247AD de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje44 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente500 V
  • SerieHiperFET, Polar
  • Tipo de EncapsuladoTO-247AD
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  • 8,688 €
    unitario (En un Tubo de 30)
MOSFET IXYS IXTH48N65X2, VDSS 650 V, ID 48 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje48 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente650 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-247
  • SerieX2-Class
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  • 18,01 €Unidad
MOSFET IXYS IXFK100N65X2, VDSS 650 V, ID 100 A, TO-264P de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje100 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente650 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-264P
  • SerieHiperFET, X2-Class
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  • 8,981 €
    unitario (En un Tubo de 30)
MOSFET IXYS IXFH50N60P3, VDSS 600 V, ID 50 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje50 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente600 V
  • SerieHiperFET, Q3-Class
  • Tipo de EncapsuladoTO-247
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  • 4,275 €
    unitario (En un Tubo de 30)
Diodo, DSI45-16A, 48A, 1600V Conexión de silicio, TO-247AD, 2-Pines 1.18V
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
  • Tipo de EncapsuladoTO-247AD
  • Corriente Continua Máxima Directa48A
  • Tensión Repetitiva Inversa de Pico1600V
  • Configuración de diodoSimple
Consulte productos similares en Diodos Schottky y Rectificadores
  • 96,15 €
    unitario (En una caja de 2)
Módulo IGBT, MDI200-12A4, N-Canal, 270 A, 1.200 V, Y3 DCB, 7-Pines Simple
  • Corriente Máxima Continua del Colector270 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor1.200 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±20V
  • Tipo de EncapsuladoY3 DCB
  • ConfiguraciónÚnico
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  • 14,33 €Unidad
Módulo rectificador de puente, VUO25-16NO8, Trifásico, 25A 1600V, Conexión de silicio FO B B, 5 pines
  • Tipo de PuenteTrifásico
  • Corriente Directa Media de Pico25A
  • Tensión Repetitiva Inversa de Pico1600V
  • Tipo de MontajeMontaje roscado
  • Tipo de EncapsuladoFO B B
Consulte productos similares en Puentes Rectificadores
  • 12,14 €
    unitario (En una caja de 50)
Módulo rectificador de puente, VUO25-16NO8, Trifásico, 25A 1600V, Conexión de silicio FO B B, 5 pines
  • Tipo de PuenteTrifásico
  • Corriente Directa Media de Pico25A
  • Tensión Repetitiva Inversa de Pico1600V
  • Tipo de MontajeMontaje roscado
  • Tipo de EncapsuladoFO B B
Consulte productos similares en Puentes Rectificadores
  • 11,77 €Unidad
Módulo rectificador de puente, VUO25-12NO8, Trifásico, 25A 1200V, Conexión de silicio FO B B, 5 pines
  • Tipo de PuenteTrifásico
  • Corriente Directa Media de Pico25A
  • Tensión Repetitiva Inversa de Pico1200V
  • Tipo de MontajeMontaje roscado
  • Tipo de EncapsuladoFO B B
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  • 10,06 €Unidad
MOSFET IXYS IXFH60N50P3, VDSS 500 V, ID 60 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje60 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente500 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-247
  • SerieHiperFET, Polar3
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  • 10,67 €Unidad
IGBT, IXYH50N120C3, N-Canal, 100 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines, 50kHz Simple
  • Corriente Máxima Continua del Colector100 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor1.200 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±20V
  • Disipación de Potencia Máxima750 W
  • Tipo de EncapsuladoTO-247
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  • 7,67 €Unidad
Diodo, DSEI60-10A, Conmutación, 60A, 1000V Conexión de silicio, 50ns, TO-247AD, 2-Pines 2.3V
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
  • Tipo de EncapsuladoTO-247AD
  • Corriente Continua Máxima Directa60A
  • Tensión Repetitiva Inversa de Pico1000V
  • Configuración de diodoSimple
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  • 25,346 €
    unitario (En un Tubo de 25)
MOSFET IXYS IXFL100N50P, VDSS 500 V, ID 70 A, ISOPLUS264 de 3 pines
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje70 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente500 V
  • SeriePolarHVTM HiPerFET
  • Tipo de EncapsuladoISOPLUS264
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  • 4,754 €
    unitario (Suministrado en múltiplos de 5)
Diodo, DSI45-16A, 48A, 1600V Conexión de silicio, TO-247AD, 2-Pines 1.18V
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
  • Tipo de EncapsuladoTO-247AD
  • Corriente Continua Máxima Directa48A
  • Tensión Repetitiva Inversa de Pico1600V
  • Configuración de diodoSimple
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  • 30,14 €Unidad
IGBT, IXGH32N170, N-Canal, 75 A, 1.700 V, TO-247AD, 3-Pines Simple
  • Corriente Máxima Continua del Colector75 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor1.700 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±20V
  • Tipo de EncapsuladoTO-247AD
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
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  • 94,93 €Unidad
Diodo, MDD142-08N1B, 165A, 800V Conexión de silicio, Y4 M6, 3-Pines 1.3V
  • Tipo de MontajeMontaje en panel
  • Tipo de EncapsuladoY4 M6
  • Corriente Continua Máxima Directa165A
  • Tensión Repetitiva Inversa de Pico800V
  • Configuración de diodoSerie
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  • 6,925 €
    unitario (En un Tubo de 30)
Diodo, DSEI60-10A, Conmutación, 60A, 1000V Conexión de silicio, 50ns, TO-247AD, 2-Pines 2.3V
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
  • Tipo de EncapsuladoTO-247AD
  • Corriente Continua Máxima Directa60A
  • Tensión Repetitiva Inversa de Pico1000V
  • Configuración de diodoSimple
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  • 33,42 €Unidad
MOSFET IXYS IXFN420N10T, VDSS 100 V, ID 420 A, SOT-227 de 4 pines
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje420 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente100 V
  • SerieGigaMOS Trench HiperFET
  • Tipo de EncapsuladoSOT-227
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  • 4,932 €
    unitario (En un Tubo de 30)
Diodo, DSP25-16A, 28A, 1600V Conexión de silicio, TO-247AD, 3-Pines 1.6V
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
  • Tipo de EncapsuladoTO-247AD
  • Corriente Continua Máxima Directa28A
  • Tensión Repetitiva Inversa de Pico1600V
  • Configuración de diodoSerie
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  • 2,111 €
    unitario (En un Tubo de 50)
MOSFET IXYS IXTP4N65X2, VDSS 650 V, ID 4 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje4 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente650 V
  • SerieX2-Class
  • Tipo de EncapsuladoTO-220
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