IXYS

Semiconductores

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Precio
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Descripción
Detalles del producto
  • 23,112 €
    unitario (En un Tubo de 10)
Diodo, DSEI2X31-10B, Conmutación, 30A, 1000V Conexión de silicio, 50ns, SOT-227B, 4-Pines 2.4V
  • Tipo de MontajeMontaje en panel
  • Tipo de EncapsuladoSOT-227B
  • Corriente Continua Máxima Directa30A
  • Tensión Repetitiva Inversa de Pico1000V
  • Configuración de diodoAislado
Consulte productos similares en Diodos Schottky y Rectificadores
  • 2,606 €
    unitario (Suministrado en múltiplos de 5)
Diodo de conmutación, DSEP15-06B Conexión de silicio, TO-220AC, 2-Pines 2.52V
  • Configuración de diodoSimple
  • Número de Elementos por Chip1
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
  • Tipo de EncapsuladoTO-220AC
  • Tecnología de diodoConexión de silicio
Consulte productos similares en Diodo de Conmutación
  • 54,32 €Unidad
MOSFET IXYS IXFN100N50Q3, VDSS 500 V, ID 82 A, SOT-227 de 4 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje82 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente500 V
  • SerieHiperFET, Q3-Class
  • Tipo de EncapsuladoSOT-227
Consulte productos similares en MOSFET
  • 53,808 €
    unitario (En un Tubo de 10)
MOSFET IXYS IXFN44N80Q3, VDSS 800 V, ID 37 A, SOT-227 de 4 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje37 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente800 V
  • SerieHiperFET, Q3-Class
  • Tipo de EncapsuladoSOT-227
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  • 25,92 €Unidad
MOSFET IXYS IXFX24N100Q3, VDSS 1.000 V, ID 24 A, PLUS247 de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje24 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente1.000 V
  • Tipo de EncapsuladoPLUS247
  • SerieHiperFET, Q3-Class
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  • 14,38 €Unidad
MOSFET IXYS IXFH70N20Q3, VDSS 200 V, ID 70 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje70 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente200 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-247
  • SerieHiperFET, Q3-Class
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  • 11,61 €Unidad
MOSFET IXYS IXFK27N80Q, VDSS 800 V, ID 27 A, TO-264AA de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje27 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente800 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-264AA
  • SerieHiperFET, Q-Class
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  • 3,16 €Unidad
Diodo, DSP45-12A, 45A, 1200V Conexión de silicio, TO-247AD, 3-Pines 1.37V
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
  • Tipo de EncapsuladoTO-247AD
  • Corriente Continua Máxima Directa45A
  • Tensión Repetitiva Inversa de Pico1200V
  • Configuración de diodoCátodo común
Consulte productos similares en Diodos Schottky y Rectificadores
  • 46,27 €Unidad
MOSFET IXYS IXFN360N15T2, VDSS 150 V, ID 310 A, SOT-227 de 4 pines
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje310 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente150 V
  • SerieGigaMOS TrenchT2 HiperFET
  • Tipo de EncapsuladoSOT-227
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  • 0,908 €
    unitario (Suministrado en múltiplos de 5)
Diodo, DSEI8-06A, Conmutación, 8A, 600V Conexión de silicio, 50ns, TO-220AC, 2-Pines 1.5V
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
  • Tipo de EncapsuladoTO-220AC
  • Corriente Continua Máxima Directa8A
  • Tensión Repetitiva Inversa de Pico600V
  • Configuración de diodoSimple
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  • 4,334 €
    unitario (En un Tubo de 30)
IGBT, IXA12IF1200HB, N-Canal, 20 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines Simple
  • Corriente Máxima Continua del Colector20 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor1.200 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±20V
  • Disipación de Potencia Máxima85 W
  • Tipo de EncapsuladoTO-247
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  • 40,517 €
    unitario (En un Tubo de 10)
MOSFET IXYS IXFN210N30P3, VDSS 300 V, ID 192 A, SOT-227 de 4 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje192 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente300 V
  • Tipo de EncapsuladoSOT-227
  • SerieHiperFET, Polar3
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  • 14,573 €
    unitario (En un Tubo de 25)
MOSFET IXYS IXTK102N65X2, VDSS 650 V, ID 100 A, TO-264P de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje100 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente650 V
  • SerieX2-Class
  • Tipo de EncapsuladoTO-264P
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  • 11,02 €Unidad
MOSFET IXYS IXTK102N65X2, VDSS 650 V, ID 100 A, TO-264P de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje100 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente650 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-264P
  • SerieX2-Class
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  • 17,011 €
    unitario (En un Tubo de 30)
IGBT, IXYH82N120C3, N-Canal, 200 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines, 50kHz Simple
  • Corriente Máxima Continua del Colector200 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor1.200 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±20V
  • Disipación de Potencia Máxima1.250 W
  • Tipo de EncapsuladoTO-247
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  • 4,164 €
    unitario (En una caja de 100)
Diodo, DSA2-16A, 7A, 1600V Conexión de silicio, 2-Pines 1.25V, Conexión de silicio
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
  • Corriente Continua Máxima Directa7A
  • Tensión Repetitiva Inversa de Pico1600V
  • Configuración de diodoSimple
  • Tipo de DiodoConexión de silicio
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  • 49,897 €
    unitario (En una caja de 36)
Módulo tiristor Módulo SCR, MCD94-22IO1B, 2200V, 104A, 100mA, TO-240AA, 5-Pines
  • Corriente de Encendido Medio Nominal104A
  • Tipo de TiristorMódulo SCR
  • Tipo de EncapsuladoTO-240AA
  • Tensión Inversa de Pico Repetitiva2200V
  • Corriente Nominal de Supresión1.8kA
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  • 23,32 €Unidad
Diodo, DSEI2X30-10B, Conmutación, 30A, 1000V Conexión de silicio, 50ns, SOT-227B, 4-Pines 2.4V
  • Tipo de MontajeMontaje en panel
  • Tipo de EncapsuladoSOT-227B
  • Corriente Continua Máxima Directa30A
  • Tensión Repetitiva Inversa de Pico1000V
  • Configuración de diodoAislado
Consulte productos similares en Diodos Schottky y Rectificadores
  • 1,122 €
    unitario (Suministrado en múltiplos de 5)
Diodo, DSI30-08A, 30A, 800V Conexión de silicio, TO-220AC, 2-Pines 1.45V
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
  • Tipo de EncapsuladoTO-220AC
  • Corriente Continua Máxima Directa30A
  • Tensión Repetitiva Inversa de Pico800V
  • Configuración de diodoSimple
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  • 9,41 €Unidad
MOSFET IXYS IXFQ60N50P3, VDSS 500 V, ID 60 A, TO-3PN de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje60 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente500 V
  • SerieHiperFET, Polar3
  • Tipo de EncapsuladoTO-3PN
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