IXYS

Semiconductores

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Precio
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Descripción
Detalles del producto
  • 5,788 €
    unitario (En un Tubo de 30)
MOSFET IXYS IXFQ50N50P3, VDSS 500 V, ID 50 A, TO-3P de 3 pines, config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje50 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente500 V
  • SerieHiperFET, Polar3
  • Tipo de EncapsuladoTO-3P
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  • 0,525 €
    unitario (Suministrado en Carretes de 2000)
Controlador de MOSFET IX4426NTR, SOIC 8 pines
  • Conteo de Pines8
  • Tipo de EncapsuladoSOIC
  • TopologíaLado Bajo
  • Número de Drivers2
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
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  • 7,802 €
    unitario (En un Tubo de 50)
MOSFET IXYS IXFP80N25X3, VDSS 250 V, ID 80 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje80 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente250 V
  • SerieHiperFET
  • Tipo de EncapsuladoTO-220
Consulte productos similares en MOSFET
  • 1,424 €
    unitario (Suministrado en Carretes de 2000)
Controlador de MOSFET IXDN604SIATR, SOIC 8 pines
  • Conteo de Pines8
  • Tipo de EncapsuladoSOIC
  • TopologíaLado Bajo
  • Número de Drivers2
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
Consulte productos similares en Drivers de Potencia
  • 42,12 €Unidad
IGBT, IXYN100N120C3, N-Canal, 152 A, 1.200 V, SOT-227B, 4-Pines, 20 → 50kHz Simple
  • Corriente Máxima Continua del Colector152 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor1.200 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±20V
  • Disipación de Potencia Máxima830 W
  • Tipo de EncapsuladoSOT-227B
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  • 23,384 €
    unitario (En un Tubo de 25)
MOSFET IXYS IXFK66N85X, VDSS 850 V, ID 66 A, TO-264 de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje66 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente850 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-264
  • SerieHiperFET
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  • 3,042 €
    unitario (Suministrado en múltiplos de 5)
Controlador de MOSFET IXDD609SITR, SOIC 8 pines
  • Conteo de Pines8
  • Tipo de EncapsuladoSOIC
  • TopologíaLado Bajo
  • Número de Drivers1
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
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  • 5,218 €
    unitario (En un Tubo de 30)
MOSFET IXYS IXFH22N60P3, VDSS 600 V, ID 22 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje22 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente600 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-247
  • SerieHiperFET, Polar3
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  • 2,541 €
    unitario (Suministrado en Carretes de 2000)
Controlador de MOSFET IXDI609SITR, SOIC 8 pines
  • Conteo de Pines8
  • Tipo de EncapsuladoSOIC
  • TopologíaLado Bajo
  • Número de Drivers1
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
Consulte productos similares en Drivers de Potencia
  • 7,26 €Unidad
IGBT, IXYH40N120C3D1, N-Canal, 64 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines, 50kHz Simple
  • Corriente Máxima Continua del Colector64 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor1.200 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±20V
  • Disipación de Potencia Máxima480 W
  • Tipo de EncapsuladoTO-247
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  • 21,97 €Unidad
Diodo, DSI2x55-16A, 60A, 1700V Conexión de silicio, SOT-227, 4-Pines 1.58V
  • Tipo de MontajeMontaje en panel
  • Tipo de EncapsuladoSOT-227
  • Corriente Continua Máxima Directa60A
  • Tensión Repetitiva Inversa de Pico1700V
  • Configuración de diodoAislado
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  • 4,255 €
    unitario (Suministrado en múltiplos de 2)
Tiristor SCR, CLA30E1200HB, 1200V, 30A, 50mA, TO-247, 3-Pines
  • Corriente de Encendido Medio Nominal30A
  • Tipo de TiristorSCR
  • Tipo de EncapsuladoTO-247
  • Tensión Inversa de Pico Repetitiva1200V
  • Corriente Nominal de Supresión325A
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  • 3,718 €
    unitario (En un Tubo de 50)
Diodo, DSEI20-12A, Conmutación, 17A, 1200V Conexión de silicio, 60ns, TO-220AC, 2-Pines 2.15V
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
  • Tipo de EncapsuladoTO-220AC
  • Corriente Continua Máxima Directa17A
  • Tensión Repetitiva Inversa de Pico1200V
  • Configuración de diodoSimple
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  • 33,076 €
    unitario (En un Tubo de 10)
Diodo, DH2X61-18A, Recuperación rápida, 60A, 1800V Conexión de silicio, 350ns, SOT-227B, 4-Pines 2.71V
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
  • Tipo de EncapsuladoSOT-227B
  • Corriente Continua Máxima Directa60A
  • Tensión Repetitiva Inversa de Pico1800V
  • Configuración de diodo2 pares de ánodos comunes
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  • 3,318 €
    unitario (En un Tubo de 50)
MOSFET IXYS IXTP36N30P, VDSS 300 V, ID 36 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje36 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente300 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-220
  • SerieHiperFET, Polar
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  • 30,81 €Unidad
Módulo tiristor doble SCR, MMO74-16io6, 1600V, 40A, 150mA, SOT-227B, 4-Pines
  • Corriente de Encendido Medio Nominal40A
  • Tipo de TiristorSCR
  • Tipo de EncapsuladoSOT-227B
  • Tensión Inversa de Pico Repetitiva1600V
  • Corriente Nominal de Supresión650A
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  • 22,92 €Unidad
IGBT, IXYX30N170CV1, 100 A, 1700 V, PLUS247, 3-Pines 1 Simple
  • Corriente Máxima Continua del Colector100 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor1700 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±20 V, ±30V
  • Número de transistores1
  • Disipación de Potencia Máxima937 W
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  • 118,92 €Unidad
Módulo tiristor doble Módulo SCR, MCMA265P1600KA, 1600V, 260A, 220mA, Case Y1, 7-Pines
  • Corriente de Encendido Medio Nominal260A
  • Tipo de TiristorMódulo SCR
  • Tipo de EncapsuladoCase Y1
  • Tensión Inversa de Pico Repetitiva1600V
  • Corriente Nominal de Supresión9.18kA
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  • 33,94 €Unidad
Diodo, DSEP2x61-06A, Recuperación rápida, 60A, 600V Conexión de silicio, 55ns, SOT-227B, 4-Pines 2.27V
  • Tipo de MontajeMontaje en panel
  • Tipo de EncapsuladoSOT-227B
  • Corriente Continua Máxima Directa60A
  • Tensión Repetitiva Inversa de Pico600V
  • Configuración de diodoAislado
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  • 0,513 €
    unitario (Suministrado en Carretes de 4000)
Controlador de MOSFET IX4340NTR, SOIC 8 pines
  • Conteo de Pines8
  • Tipo de EncapsuladoSOIC
  • TopologíaLado Bajo
  • Número de Drivers2
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
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