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Descripción
Detalles del producto
Transistor, 2SA1943-O(Q), PNP -15 A -230 V TO-3PL, 3 pines, 30 MHz, Simple
  • 2,60 €Unidad
  • También disponible en empaquetado de producción industrial
Transistor, 2SA1943-O(Q), PNP -15 A -230 V TO-3PL, 3 pines, 30 MHz, Simple
  • Tipo de TransistorPNP
  • Corriente DC Máxima del Colector-15 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor-230 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-3PL
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
Consulte productos similares en Transistores Bipolares
Transistor, 2SA1943-O(Q), PNP -15 A -230 V TO-3PL, 3 pines, 30 MHz, Simple
  • 1,762 €
    unitario (En un Tubo de 100)
Transistor, 2SA1943-O(Q), PNP -15 A -230 V TO-3PL, 3 pines, 30 MHz, Simple
  • Tipo de TransistorPNP
  • Corriente DC Máxima del Colector-15 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor-230 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-3PL
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
Consulte productos similares en Transistores Bipolares
Transistor, 2SC5200-O(S1,F,S), NPN 15 A 230 V TO-3PL, 3 pines, Simple
  • 2,736 €
    unitario (Suministrado en múltiplos de 5)
Transistor, 2SC5200-O(S1,F,S), NPN 15 A 230 V TO-3PL, 3 pines, Simple
  • Tipo de TransistorNPN
  • Corriente DC Máxima del Colector15 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor230 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-3PL
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
Consulte productos similares en Transistores Bipolares
MOSFET Toshiba TK72E12N1,S1X(S, VDSS 120 V, ID 72 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
  • 3,01 €
    unitario (Suministrado en múltiplos de 5)
  • También disponible en empaquetado de producción industrial
MOSFET Toshiba TK72E12N1,S1X(S, VDSS 120 V, ID 72 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje72 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente120 V
  • SerieTK
  • Tipo de EncapsuladoTO-220
Consulte productos similares en MOSFET
MOSFET Toshiba TK72E12N1,S1X(S, VDSS 120 V, ID 72 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
  • 1,814 €
    unitario (En un Tubo de 50)
MOSFET Toshiba TK72E12N1,S1X(S, VDSS 120 V, ID 72 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje72 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente120 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-220
  • SerieTK
Consulte productos similares en MOSFET
MOSFET Toshiba TK72E12N1,S1X(S, VDSS 120 V, ID 72 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
  • 1,38 €
    unitario (Suministrado en múltiplos de 5)
MOSFET Toshiba TK72E12N1,S1X(S, VDSS 120 V, ID 72 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje72 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente120 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-220
  • SerieTK
Consulte productos similares en MOSFET
IGBT, GT30J121, N-Canal, 30 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple
  • 4,22 €Unidad
  • También disponible en empaquetado de producción industrial
IGBT, GT30J121, N-Canal, 30 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple
  • Corriente Máxima Continua del Colector30 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor600 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±20V
  • Disipación de Potencia Máxima170 W
  • Tipo de EncapsuladoTO-3P
Consulte productos similares en IGBT
IGBT, GT30J121, N-Canal, 30 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple
  • 2,889 €
    unitario (En un Tubo de 50)
IGBT, GT30J121, N-Canal, 30 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple
  • Corriente Máxima Continua del Colector30 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor600 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±20V
  • Disipación de Potencia Máxima170 W
  • Tipo de EncapsuladoTO-3P
Consulte productos similares en IGBT
MOSFET Toshiba 2SK3878(F), VDSS 900 V, ID 9 A, TO-3PN de 3 pines, config. Simple
  • 2,855 €
    unitario (Suministrado en múltiplos de 2)
  • También disponible en empaquetado de producción industrial
MOSFET Toshiba 2SK3878(F), VDSS 900 V, ID 9 A, TO-3PN de 3 pines, config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje9 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente900 V
  • Serie2SK
  • Tipo de EncapsuladoTO-3PN
Consulte productos similares en MOSFET
IGBT, GT20J341, N-Canal, 20 A, 600 V, TO-220SIS, 3-Pines, 100kHz Simple
  • 1,769 €
    unitario (En un Tubo de 50)
IGBT, GT20J341, N-Canal, 20 A, 600 V, TO-220SIS, 3-Pines, 100kHz Simple
  • Corriente Máxima Continua del Colector20 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor600 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±25V
  • Disipación de Potencia Máxima45 W
  • Tipo de EncapsuladoTO-220SIS
Consulte productos similares en IGBT
IGBT, GT50JR22, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple
  • 5,99 €Unidad
  • También disponible en empaquetado de producción industrial
IGBT, GT50JR22, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple
  • Corriente Máxima Continua del Colector50 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor600 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±25V
  • Disipación de Potencia Máxima230 W
  • Tipo de EncapsuladoTO-3P
Consulte productos similares en IGBT
IGBT, GT20J341, N-Canal, 20 A, 600 V, TO-220SIS, 3-Pines, 100kHz Simple
  • 2,63 €Unidad
  • También disponible en empaquetado de producción industrial
IGBT, GT20J341, N-Canal, 20 A, 600 V, TO-220SIS, 3-Pines, 100kHz Simple
  • Corriente Máxima Continua del Colector20 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor600 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±25V
  • Disipación de Potencia Máxima45 W
  • Tipo de EncapsuladoTO-220SIS
Consulte productos similares en IGBT
IGBT, GT50JR22, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple
  • 4,143 €
    unitario (En un Tubo de 25)
IGBT, GT50JR22, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple
  • Corriente Máxima Continua del Colector50 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor600 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±25V
  • Disipación de Potencia Máxima230 W
  • Tipo de EncapsuladoTO-3P
Consulte productos similares en IGBT
JFET, 2SK208-R(TE85L,F), N-Canal, 10 V, Único, SOT-346 (SC-59), 3-Pines Simple
  • 0,127 €
    unitario (Suministrado en múltiplos de 10)
  • También disponible en empaquetado de producción industrial
JFET, 2SK208-R(TE85L,F), N-Canal, 10 V, Único, SOT-346 (SC-59), 3-Pines Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss0.3 to 0.75mA
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente10 V
  • Tensión Máxima Puerta-Fuente-30 V
  • Tensión Máxima Puerta-Drenador-50V
Consulte productos similares en JFET
Transistor, 2SC5200N(S1,E,S), NPN 15 A 230 V TO-3P, 3 pines, Simple
  • 1,926 €
    unitario (Suministrado en múltiplos de 5)
Transistor, 2SC5200N(S1,E,S), NPN 15 A 230 V TO-3P, 3 pines, Simple
  • Tipo de TransistorNPN
  • Corriente DC Máxima del Colector15 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor230 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-3P
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
Consulte productos similares en Transistores Bipolares
MOSFET Toshiba TK58A06N1,S4X(S, VDSS 60 V, ID 58 A, TO-220SIS de 3 pines, , config. Simple
  • 1,30 €
    unitario (Suministrado en múltiplos de 6)
MOSFET Toshiba TK58A06N1,S4X(S, VDSS 60 V, ID 58 A, TO-220SIS de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje58 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente60 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-220SIS
  • SerieTK
Consulte productos similares en MOSFET
MOSFET Toshiba TK58A06N1,S4X(S, VDSS 60 V, ID 58 A, TO-220SIS de 3 pines, , config. Simple
  • 0,798 €
    unitario (En un Tubo de 50)
MOSFET Toshiba TK58A06N1,S4X(S, VDSS 60 V, ID 58 A, TO-220SIS de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje58 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente60 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-220SIS
  • SerieTK
Consulte productos similares en MOSFET
MOSFET Toshiba TK35E08N1, VDSS 80 V, ID 55 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
  • 0,38 €
    unitario (En un Tubo de 50)
MOSFET Toshiba TK35E08N1, VDSS 80 V, ID 55 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje55 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente80 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-220
  • SerieTK
Consulte productos similares en MOSFET
JFET, 2SK209-Y(TE85L,F), N-Canal, 10 V, Único, SOT-346 (SC-59), 3-Pines Simple
  • 0,347 €
    unitario (Suministrado en múltiplos de 10)
  • También disponible en empaquetado de producción industrial
JFET, 2SK209-Y(TE85L,F), N-Canal, 10 V, Único, SOT-346 (SC-59), 3-Pines Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss1.2 to 3.0mA
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente10 V
  • Tensión Máxima Puerta-Fuente-30 V
  • Tensión Máxima Puerta-Drenador-50V
Consulte productos similares en JFET
IGBT, GT15J341, N-Canal, 15 A, 600 V, TO-220SIS, 3-Pines, 100kHz Simple
  • 2,216 €
    unitario (Suministrado en múltiplos de 5)
  • También disponible en empaquetado de producción industrial
IGBT, GT15J341, N-Canal, 15 A, 600 V, TO-220SIS, 3-Pines, 100kHz Simple
  • Corriente Máxima Continua del Colector15 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor600 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±25V
  • Disipación de Potencia Máxima30 W
  • Tipo de EncapsuladoTO-220SIS
Consulte productos similares en IGBT
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