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Descripción
Detalles del producto
Diodo, 1SS315(TPH3,F), 30mA, 5V Barrera Schottky, SOD-323, 2-Pines 250mV
  • 0,195 €
    unitario (Suministrado en múltiplos de 25)
Diodo, 1SS315(TPH3,F), 30mA, 5V Barrera Schottky, SOD-323, 2-Pines 250mV
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
  • Tipo de EncapsuladoSOD-323
  • Corriente Continua Máxima Directa30mA
  • Tensión Repetitiva Inversa de Pico5V
  • Configuración de diodoSimple
Consulte productos similares en Diodos Schottky y Rectificadores
IGBT, GT15J341, N-Canal, 15 A, 600 V, TO-220SIS, 3-Pines, 100kHz Simple
  • 1,545 €
    unitario (En un Tubo de 50)
IGBT, GT15J341, N-Canal, 15 A, 600 V, TO-220SIS, 3-Pines, 100kHz Simple
  • Corriente Máxima Continua del Colector15 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor600 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±25V
  • Disipación de Potencia Máxima30 W
  • Tipo de EncapsuladoTO-220SIS
Consulte productos similares en IGBT
Transistor, 2SA1943N(S1,E,S), PNP -15 A -230 V TO-3P, 3 pines, Simple
  • 2,134 €
    unitario (Suministrado en múltiplos de 5)
Transistor, 2SA1943N(S1,E,S), PNP -15 A -230 V TO-3P, 3 pines, Simple
  • Tipo de TransistorPNP
  • Corriente DC Máxima del Colector-15 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor-230 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-3P
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
Consulte productos similares en Transistores Bipolares
IGBT, GT15J341, N-Canal, 15 A, 600 V, TO-220SIS, 3-Pines, 100kHz Simple
  • 2,216 €
    unitario (Suministrado en múltiplos de 5)
  • También disponible en empaquetado de producción industrial
IGBT, GT15J341, N-Canal, 15 A, 600 V, TO-220SIS, 3-Pines, 100kHz Simple
  • Corriente Máxima Continua del Colector15 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor600 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±25V
  • Disipación de Potencia Máxima30 W
  • Tipo de EncapsuladoTO-220SIS
Consulte productos similares en IGBT
MOSFET Toshiba 2SK3564,S5Q(J, VDSS 900 V, ID 3 A, SC-67 de 3 pines, , config. Simple
  • 1,148 €
    unitario (Suministrado en múltiplos de 5)
MOSFET Toshiba 2SK3564,S5Q(J, VDSS 900 V, ID 3 A, SC-67 de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje3 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente900 V
  • Serie2SK
  • Tipo de EncapsuladoSC-67
Consulte productos similares en MOSFET
Diodo, CMS06(TE12L,Q,M), 2A, 30V, M-PLANO, 2-Pines 370mV
  • 0,058 €
    unitario (Suministrado en múltiplos de 25)
Diodo, CMS06(TE12L,Q,M), 2A, 30V, M-PLANO, 2-Pines 370mV
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
  • Tipo de EncapsuladoM-PLANO
  • Corriente Continua Máxima Directa2A
  • Tensión Repetitiva Inversa de Pico30V
  • Configuración de diodoSimple
Consulte productos similares en Diodos Schottky y Rectificadores
MOSFET Toshiba 2SK4017(Q), VDSS 60 V, ID 5 A, PW Mold2 de 3 pines, , config. Simple
  • 0,287 €
    unitario (Suministrado en múltiplos de 20)
MOSFET Toshiba 2SK4017(Q), VDSS 60 V, ID 5 A, PW Mold2 de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje5 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente60 V
  • Tipo de EncapsuladoPW Mold2
  • Serie2SK
Consulte productos similares en MOSFET
IGBT, GT50JR21, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple
  • 4,143 €
    unitario (En un Tubo de 25)
IGBT, GT50JR21, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple
  • Corriente Máxima Continua del Colector50 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor600 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±25V
  • Disipación de Potencia Máxima230 W
  • Tipo de EncapsuladoTO-3P
Consulte productos similares en IGBT
MOSFET Toshiba TK72A08N1,S4X(S, VDSS 80 V, ID 72 A, TO-220SIS de 3 pines, , config. Simple
  • 1,90 €
    unitario (Suministrado en múltiplos de 5)
  • También disponible en empaquetado de producción industrial
MOSFET Toshiba TK72A08N1,S4X(S, VDSS 80 V, ID 72 A, TO-220SIS de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje72 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente80 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-220SIS
  • SerieTK
Consulte productos similares en MOSFET
IGBT, GT50JR21, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple
  • 5,87 €Unidad
  • También disponible en empaquetado de producción industrial
IGBT, GT50JR21, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple
  • Corriente Máxima Continua del Colector50 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor600 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±25V
  • Disipación de Potencia Máxima230 W
  • Tipo de EncapsuladoTO-3P
Consulte productos similares en IGBT
MOSFET Toshiba TPC8227-H,LQ(S, VDSS 40 V, ID 5,1 A, SOP de 8 pines, 2elementos, config. Aislado
  • 0,46 €
    unitario (Suministrado en múltiplos de 5)
  • También disponible en empaquetado de producción industrial
MOSFET Toshiba TPC8227-H,LQ(S, VDSS 40 V, ID 5,1 A, SOP de 8 pines, 2elementos, config. Aislado
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje5,1 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente40 V
  • Tipo de EncapsuladoSOP
  • SerieTPC
Consulte productos similares en MOSFET
MOSFET Toshiba 2SK4013,S5Q(J, VDSS 800 V, ID 6 A, SC-67 de 3 pines, config. Simple
  • 1,546 €
    unitario (Suministrado en múltiplos de 5)
MOSFET Toshiba 2SK4013,S5Q(J, VDSS 800 V, ID 6 A, SC-67 de 3 pines, config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje6 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente800 V
  • Tipo de EncapsuladoSC-67
  • Serie2SK
Consulte productos similares en MOSFET
MOSFET Toshiba TK20J60W,S1VQ(O, VDSS 600 V, ID 20 A, TO-3PN de 3 pines, , config. Simple
  • 8,415 €
    unitario (Suministrado en múltiplos de 2)
  • También disponible en empaquetado de producción industrial
MOSFET Toshiba TK20J60W,S1VQ(O, VDSS 600 V, ID 20 A, TO-3PN de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje20 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente600 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-3PN
  • SerieTK
Consulte productos similares en MOSFET
MOSFET Toshiba TK7P60W,RVQ(S, VDSS 600 V, ID 7 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
  • 1,193 €
    unitario (Suministrado en múltiplos de 8)
  • También disponible en empaquetado de producción industrial
MOSFET Toshiba TK7P60W,RVQ(S, VDSS 600 V, ID 7 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje7 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente600 V
  • SerieTK
  • Tipo de EncapsuladoDPAK (TO-252)
Consulte productos similares en MOSFET
MOSFET Toshiba TK100A06N1,S4X(S, VDSS 60 V, ID 100 A, TO-220SIS de 3 pines, , config. Simple
  • 2,81 €
    unitario (Suministrado en múltiplos de 4)
  • También disponible en empaquetado de producción industrial
MOSFET Toshiba TK100A06N1,S4X(S, VDSS 60 V, ID 100 A, TO-220SIS de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje100 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente60 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-220SIS
  • SerieTK
Consulte productos similares en MOSFET
MOSFET Toshiba TK100A06N1,S4X(S, VDSS 60 V, ID 100 A, TO-220SIS de 3 pines, , config. Simple
  • 1,693 €
    unitario (En un Tubo de 50)
MOSFET Toshiba TK100A06N1,S4X(S, VDSS 60 V, ID 100 A, TO-220SIS de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje100 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente60 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-220SIS
  • SerieTK
Consulte productos similares en MOSFET
MOSFET Toshiba TK20J60W,S1VQ(O, VDSS 600 V, ID 20 A, TO-3PN de 3 pines, , config. Simple
  • 5,153 €
    unitario (En un Tubo de 25)
MOSFET Toshiba TK20J60W,S1VQ(O, VDSS 600 V, ID 20 A, TO-3PN de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje20 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente600 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-3PN
  • SerieTK
Consulte productos similares en MOSFET
MOSFET Toshiba TK42A12N1,S4X(S, VDSS 120 V, ID 42 A, TO-220SIS de 3 pines, , config. Simple
  • 1,638 €
    unitario (Suministrado en múltiplos de 5)
  • También disponible en empaquetado de producción industrial
MOSFET Toshiba TK42A12N1,S4X(S, VDSS 120 V, ID 42 A, TO-220SIS de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje42 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente120 V
  • SerieTK
  • Tipo de EncapsuladoTO-220SIS
Consulte productos similares en MOSFET
MOSFET Toshiba TK31E60W,S1VX(S, VDSS 600 V, ID 31 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
  • 5,545 €
    unitario (Suministrado en múltiplos de 2)
  • También disponible en empaquetado de producción industrial
MOSFET Toshiba TK31E60W,S1VX(S, VDSS 600 V, ID 31 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje31 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente600 V
  • SerieTK
  • Tipo de EncapsuladoTO-220
Consulte productos similares en MOSFET
MOSFET Toshiba TK100E10N1, VDSS 100 V, ID 207 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
  • 1,754 €
    unitario (En un Tubo de 50)
MOSFET Toshiba TK100E10N1, VDSS 100 V, ID 207 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje207 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente100 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-220
  • SerieTK
Consulte productos similares en MOSFET
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